"Ангстрем" заключил трехстороннее российско-японо-китайское соглашение по созданию и производству нового типа транзисторов на основе карбида кремния (SiC).

Соглашение предусматривает постановку на АО "Ангстрем" производства транзисторов по новой для него, запатентованной технологии SiC. Её использование позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, при этом их стоимость будет сопоставима, а может даже ниже по сравнению с традиционными изделиями на кремнии.
Транзисторы на основе карбида кремния, традиционно имеют более высокую стоимость, чем транзисторы, изготовленные на кремнии, и поэтому спрос на них относительно ограничен. Использование же новой запатентованной технологии SiC позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, а также значительно уменьшить стоимость транзистора в корпусе, что делает их использование более выгодным.
В церемонии подписания соглашения о стратегическом партнерстве, приняли участие первый заместитель генерального директора АО "Ангстрем" Николай Плис, президент компании "Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг" (JAPAN SEMICONDUCTOR ENGINEERING & CONSULTING) Хошино Масахиро (Hoshino Masahiro) и генеральный директор компании "Тайжоу бийонд технолоджи" (TAIZHOU BEYOND TECHNOLOGY) Чжань Лэниан (Zhang Lenian).
На Ангстреме будет быть внедрена новая технология производства транзисторов на основе карбида кремния. Техпроцесс разработан специалистами японской компании "Джапан семикондактор инжениринг и консалтинг" (JAPAN SEMICONDUCTOR ENGINEERING & CONSULTING). Третья сторона соглашения, китайская компания "Тайжоу бийонд технолоджи" (TAIZHOU BEYOND TECHNOLOGY), берет на себя обязательство по сборке кристаллов транзисторов в корпус. Согласно документу, стратегическое партнерство между тремя компаниями будет длиться на протяжении 5 лет, а затем может быть продлено.
Первые образцы продукции планируется представить в ходе крупной выставки Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. В случае положительного отклика от потребителей, объемы производства могут достигнуть нескольких миллионов кристаллов в год, что будет значительным прорывом для АО "Ангстрем" и выходом на мировой рынок с продукцией на основе SiC.
"Ангстрем" ежегодно запускает в серийное производство не менее 50 новых типов интегральных схем, микропроцессоров и транзисторов промышленного и специального назначения, в том числе по технологии кремний на сапфире. За последние три года было обновлено порядка 20% продукции предприятия из 2000 наименований.
АО "Ангстрем" - ведущий российский разработчик и производитель полупроводниковых изделий от дискретных транзисторов до современных микроконтроллеров и микропроцессоров. Компания обладает одним из самых мощных в России комплексов по созданию и производству полупроводниковых изделий: 10 полноценных дизайн-центров, более 1000 сотрудников, две производственные линии.
Потребителями продукции компании выступают более 500 государственных и частных компаний. Более 80% коммерческой продукции предприятия (кристаллы на пластинах и микросхемы) экспортируется в страны Юго-Восточной Азии и Китай.

Для справки: Название компании: Ангстрем, АО Адрес: ********** Телефоны: ********** Факсы: ********** E-Mail: ********** Web: ********** Руководитель: ********** [Для просмотра контактных данных нужно зарегистрироваться или авторизироваться]

[Error] 
Call to undefined function module_ball_fu() (0)
/home/bitrix/www/php/print_news.php:233